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元素（香港）科技
| 型号： | WNSC2D12650TJ |
|---|---|
| 产品分类： | 单二极管 |
| 制造商： | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 描述： | DIODE SIL CARBI |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 15985 |
| RoHS 状态： | |
|
获取报价信息
|
数量
价格
总价
1
$3.4340
$3.4340
10
$2.8785
$28.7850
100
$2.3331
$233.3100
500
$2.0705
$1,035.2500
1000
$1.7776
$1,777.6000
3000
$1.6665
$4,999.5000
6000
$1.6059
$9,635.4000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-VSFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电容@Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| 供应商设备包 | 5-DFN (8x8) |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
| 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） | 650 V |
| 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If | 1.7 V @ 12 A |
| 电流 - 反向漏电流@Vr | 60 µA @ 650 V |
