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元素（香港）科技
| 型号： | TC58BYG1S3HBAI6 |
|---|---|
| 产品分类： | 记忆 |
| 制造商： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 描述： | IC FLASH 2GBIT |
| 封装： | - |
| 包装： | 托盘 |
| 数量： | 13338 |
| RoHS 状态： | 1 |
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获取报价信息
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数量
价格
总价
1
$3.8481
$3.8481
10
$3.4946
$34.9460
25
$3.4138
$85.3450
40
$3.4037
$136.1480
80
$3.0502
$244.0160
338
$3.0401
$1,027.5538
676
$2.9290
$1,980.0040
1014
$2.7775
$2,816.3850
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 系列 | Benand™ |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 67-VFBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 2Gbit |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.95V |
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 内存格式 | FLASH |
| 供应商设备包 | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 写入周期时间 - 字、页 | 25ns |
| 内存接口 | Parallel |
| 存取时间 | 25 ns |
| 记忆组织 | 256M x 8 |
| DigiKey 可编程 | Not Verified |
