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元素（香港）科技
| 型号： | TC58BYG0S3HBAI6 |
|---|---|
| 产品分类： | 记忆 |
| 制造商： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 描述： | IC FLASH 1GBIT |
| 封装： | - |
| 包装： | 托盘 |
| 数量： | 13027 |
| RoHS 状态： | 1 |
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获取报价信息
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数量
价格
总价
1
$3.1310
$3.1310
10
$2.8179
$28.1790
25
$2.7674
$69.1850
40
$2.7674
$110.6960
80
$2.4745
$197.9600
338
$2.3937
$809.0706
676
$2.3836
$1,611.3136
1014
$2.2220
$2,253.1080
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 系列 | Benand™ |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 67-VFBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 1Gbit |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.95V |
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 内存格式 | FLASH |
| 供应商设备包 | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 写入周期时间 - 字、页 | 25ns |
| 内存接口 | Parallel |
| 存取时间 | 25 ns |
| 记忆组织 | 128M x 8 |
| DigiKey 可编程 | Not Verified |
