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元素（香港）科技
| 型号： | SIZF300DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 产品分类： | FET、MOSFET 阵列 |
| 制造商： | Vishay / Siliconix |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30 |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 15826 |
| RoHS 状态： | 1 |
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获取报价信息
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数量
价格
总价
1
$1.2322
$1.2322
10
$1.0100
$10.1000
100
$0.7777
$77.7700
500
$0.6666
$333.3000
1000
$0.5353
$535.3000
6000
$0.4848
$2,908.8000
9000
$0.4646
$4,181.4000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerWDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-PowerPair® (6x5) |
