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元素（香港）科技
| 型号： | RN4990(TE85L,F) |
|---|---|
| 产品分类： | 双极晶体管阵列，预偏置 |
| 制造商： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 描述： | NPN + PNP BRT Q |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 13090 |
| RoHS 状态： | |
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数量
价格
总价
1
$0.3333
$0.3333
10
$0.2323
$2.3230
100
$0.1212
$12.1200
500
$0.0909
$45.4500
1000
$0.0707
$70.7000
3000
$0.0606
$181.8000
6000
$0.0606
$363.6000
9000
$0.0505
$454.5000
30000
$0.0505
$1,515.0000
75000
$0.0404
$3,030.0000
150000
$0.0404
$6,060.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| 频率-转变 | 250MHz, 200MHz |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7kOhms |
| 供应商设备包 | US6 |
