语言:zh-cn
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

元素(香港)科技

产品详情
  • image of 双极晶体管阵列,预偏置>RN2701,LF
  • image of 双极晶体管阵列,预偏置>RN2701,LF
型号 RN2701,LF
产品分类 双极晶体管阵列,预偏置
制造商 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述 PNPX2 BRT Q1BSR
封装 -
包装 卷带式 (TR)
数量 16000
RoHS 状态 1
获取报价信息
价格: $0.0505
库存: 16000
总数

数量

价格

总价

1

$0.2828

$0.2828

10

$0.1919

$1.9190

100

$0.0909

$9.0900

500

$0.0808

$40.4000

1000

$0.0505

$50.5000

3000

$0.0505

$151.5000

6000

$0.0404

$242.4000

9000

$0.0404

$363.6000

30000

$0.0404

$1,212.0000

75000

$0.0303

$2,272.5000

150000

$0.0303

$4,545.0000

image of 双极晶体管阵列,预偏置>10379866
10379866
型号
10379866
产品分类
双极晶体管阵列,预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
PNPX2 BRT Q1BSR
封装
-
包装
卷带式 (TR)
数量
9500
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
安装类型Surface Mount
晶体管类型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率 - 最大200mW
集电极电流 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce30 @ 10mA, 5V
频率-转变200MHz
电阻器 - 基极 (R1)4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)4.7kOhms
供应商设备包USV
captcha

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
+86-15869849588
0