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元素（香港）科技
| 型号： | RN2118MFV(TPL3) |
|---|---|
| 产品分类： | 单个预偏置双极晶体管 |
| 制造商： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 描述： | TRANS PREBIAS P |
| 封装： | - |
| 包装： | 切带 (CT) |
| 数量： | 16000 |
| RoHS 状态： | 1 |
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获取报价信息
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数量
价格
总价
1
$0.2727
$0.2727
10
$0.1919
$1.9190
100
$0.0909
$9.0900
500
$0.0808
$40.4000
1000
$0.0505
$50.5000
2000
$0.0505
$101.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 切带 (CT) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | SOT-723 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| 供应商设备包 | VESM |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 100 mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50 V |
| 功率 - 最大 | 150 mW |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms |
| 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 10 kOhms |
