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元素（香港）科技
| 型号： | EPC2619 |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | EPC |
| 描述： | TRANS GAN 100V |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 20026 |
| RoHS 状态： | 1 |
|
获取报价信息
|
数量
价格
总价
1
$3.5148
$3.5148
10
$2.9492
$29.4920
100
$2.3836
$238.3600
500
$2.1210
$1,060.5000
1000
$1.8180
$1,818.0000
2500
$1.7069
$4,267.2500
5000
$1.6463
$8,231.5000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | Die |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 29A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 3.3mOhm @ 16A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 5.5mA |
| 供应商设备包 | Die |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1180 pF @ 50 V |
