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元素（香港）科技
| 型号： | 2N7002EY |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Anbon Semiconductor |
| 描述： | N-CHANNEL SMD M |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 30624 |
| RoHS 状态： | 1 |
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数量
价格
总价
1
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$0.1414
10
$0.1010
$1.0100
100
$0.0505
$5.0500
500
$0.0404
$20.2000
1000
$0.0303
$30.3000
3000
$0.0202
$60.6000
6000
$0.0202
$121.2000
9000
$0.0202
$181.8000
30000
$0.0202
$606.0000
75000
$0.0202
$1,515.0000
150000
$0.0101
$1,515.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Anbon Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 340mA (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 5Ohm @ 300mA, 10V |
| 功耗（最大） | 350mW (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-23 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.4 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 18 pF @ 30 V |
