Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6NA2R4IT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP6NA2R4IT
Тип  XP6NA2R4IT
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  MOSFET N-CH 60V
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  14000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $6.7973
Параметры продукции : 14000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$8.5143

$8.5143

50

$6.7973

$339.8650

100

$6.0802

$608.0200

500

$5.3732

$2,686.6000

1000

$4.8278

$4,827.8000

2000

$4.5248

$9,049.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21361565
21361565
Тип 
21361565
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
MOSFET N-CH 60V
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
7500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP6NA2R4
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C93A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220CFM
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs192 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds11600 pF @ 50 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0