Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP65SL380DH
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP65SL380DH
Тип  XP65SL380DH
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  MOSFET N-CH 650
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13997
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $4.5349
Параметры продукции : 13997
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$4.5349

$4.5349

10

$3.8077

$38.0770

100

$3.0805

$308.0500

500

$2.7371

$1,368.5500

1000

$2.3432

$2,343.2000

3000

$2.2119

$6,635.7000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21361555
21361555
Тип 
21361555
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
MOSFET N-CH 650
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7497
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP65SL380D
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs380mOhm @ 3.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-252
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs52.8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1860 pF @ 100 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0