Тип : | XP3N9R5AYT |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | YAGEO XSEMI |
Описание : | MOSFET N-CH 30V |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 14000 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.9191
$0.9191
10
$0.7474
$7.4740
100
$0.5858
$58.5800
500
$0.4949
$247.4500
1000
$0.4040
$404.0000
3000
$0.3737
$1,121.1000
6000
$0.3636
$2,181.6000
9000
$0.3434
$3,090.6000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | YAGEO XSEMI |
Ряд | XP3N9R5A |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | 8-PowerDFN |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 15A (Ta), 38.7A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.57W (Ta) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | PMPAK® 3 x 3 |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 28.8 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1280 pF @ 15 V |