Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N9R5AYT
Тип  XP3N9R5AYT
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  MOSFET N-CH 30V
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  14000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3737
Параметры продукции : 14000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.9191

$0.9191

10

$0.7474

$7.4740

100

$0.5858

$58.5800

500

$0.4949

$247.4500

1000

$0.4040

$404.0000

3000

$0.3737

$1,121.1000

6000

$0.3636

$2,181.6000

9000

$0.3434

$3,090.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21361547
21361547
Тип 
21361547
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
MOSFET N-CH 30V
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3N9R5A
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.57W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 3 x 3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs28.8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1280 pF @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0