Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R0MT
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP3N1R0MT
Тип  XP3N1R0MT
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  FET N-CH 30V 54
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  14000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $4.0804
Параметры продукции : 14000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$4.0804

$4.0804

10

$3.4239

$34.2390

100

$2.7674

$276.7400

500

$2.4644

$1,232.2000

1000

$2.1109

$2,110.9000

3000

$1.9796

$5,938.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>19092778
19092778
Тип 
19092778
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
FET N-CH 30V 54
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3N1R0
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs120 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds12320 pF @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0