Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>XP3C023AMT
Тип  XP3C023AMT
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  MOSFET N AND P-
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  14000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.8686
Параметры продукции : 14000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.9190

$1.9190

10

$1.5958

$15.9580

100

$1.2726

$127.2600

500

$1.0706

$535.3000

1000

$0.9090

$909.0000

3000

$0.8686

$2,605.8000

6000

$0.8282

$4,969.2000

9000

$0.8080

$7,272.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>21361532
21361532
Тип 
21361532
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
MOSFET N AND P-
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP3C023A
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerLDFN
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.3.57W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Ta), 10A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаPMPAK® 5 x 6
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0