Тип : | XP10TN135N |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | YAGEO XSEMI |
Описание : | MOSFET N-CH 100 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 13785 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4848
$0.4848
10
$0.4141
$4.1410
100
$0.2828
$28.2800
500
$0.2222
$111.1000
1000
$0.1818
$181.8000
3000
$0.1616
$484.8000
6000
$0.1515
$909.0000
9000
$0.1414
$1,272.6000
30000
$0.1414
$4,242.0000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | YAGEO XSEMI |
Ряд | XP10TN135 |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 2A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.38W (Ta) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | SOT-23 |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 980 pF @ 25 V |