Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>XP10TN135N
Тип  XP10TN135N
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель YAGEO XSEMI
Описание  MOSFET N-CH 100
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13785
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.1616
Параметры продукции : 13785
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4848

$0.4848

10

$0.4141

$4.1410

100

$0.2828

$28.2800

500

$0.2222

$111.1000

1000

$0.1818

$181.8000

3000

$0.1616

$484.8000

6000

$0.1515

$909.0000

9000

$0.1414

$1,272.6000

30000

$0.1414

$4,242.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21361521
21361521
Тип 
21361521
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
YAGEO XSEMI
Описание 
MOSFET N-CH 100
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7285
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительYAGEO XSEMI
РядXP10TN135
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs135mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.38W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds980 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0