Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>UMD9N-13P
Тип  UMD9N-13P
Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель Micro Commercial Components (MCC)
Описание  MOSFET
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.0505
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

10000

$0.0505

$505.0000

30000

$0.0505

$1,515.0000

50000

$0.0404

$2,020.0000

100000

$0.0404

$4,040.0000

250000

$0.0404

$10,100.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>22122597
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>22122597
22122597
Тип 
22122597
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель
Micro Commercial Components (MCC)
Описание 
MOSFET
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Частота – переход250MHz
Резистор — база (R1)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSOT-363
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0