Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | UF3C120080K4S |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | UnitedSiC (Qorvo) |
| Описание ： | SICFET N-CH 120 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 29473 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$14.7763
$14.7763
30
$11.9685
$359.0550
120
$11.2615
$1,351.3800
510
$10.2111
$5,207.6610
1020
$9.3627
$9,549.9540
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | UnitedSiC (Qorvo) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-4 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 33A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 254.2W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 6V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 12V |
| ВГС (Макс) | ±25V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 43 nC @ 12 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
