Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | UF3C065030K3S |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | UnitedSiC (Qorvo) |
| Описание ： | SICFET N-CH 650 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13948 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$13.3421
$13.3421
30
$11.1908
$335.7240
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | UnitedSiC (Qorvo) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 85A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 50A, 12V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 441W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 6V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 12V |
| ВГС (Макс) | ±25V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
