Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TW015Z120C,S1F |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | G3 1200V SIC-MO |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13098 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$61.9433
$61.9433
30
$54.4289
$1,632.8670
120
$50.6818
$6,081.8160
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-4 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | 175°C |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 50A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 431W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 11.7mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4L(X) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 18V |
| ВГС (Макс) | +25V, -10V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 158 nC @ 18 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6000 pF @ 800 V |
