Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TPH3208LDG |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | GANFET N-CH 650 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13009 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$11.0191
$11.0191
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 3-PowerDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 20A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (8x8) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±18V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
