Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3206PD
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TPH3206PD
Тип  TPH3206PD
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Transphorm
Описание  GANFET N-CH 600
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  13041
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $8.3325
Параметры продукции : 13041
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$10.4434

$10.4434

50

$8.3325

$416.6250

100

$7.4538

$745.3800

500

$6.5751

$3,287.5500

1000

$5.9186

$5,918.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>6201901
6201901
Тип 
6201901
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Transphorm
Описание 
GANFET N-CH 600
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
6541
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C17A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.6V @ 500µA
Пакет устройств поставщикаTO-220AB
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 480 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0