Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TPH3206LDG-TR |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | GANFET N-CH 600 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 3-PowerDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 17A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (8x8) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 8V |
| ВГС (Макс) | ±18V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
