Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TPD3215M |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | GANFET 2N-CH 60 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Module |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Мощность - Макс. | 470W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Пакет устройств поставщика | Module |
