Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | GAN FET N-CH 65 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 15834 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$5.1106
$5.1106
10
$4.5854
$45.8540
100
$3.7572
$375.7200
500
$3.2017
$1,600.8500
1000
$2.6967
$2,696.7000
3000
$2.3735
$7,120.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 3-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.8V @ 500µA |
| Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (8x8) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
