Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TP65H070G4QS-TR |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | 650 V 29 A GAN |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$8.6961
$8.6961
10
$7.4538
$74.5380
100
$6.2115
$621.1500
500
$5.4742
$2,737.1000
1000
$4.9288
$4,928.8000
2000
$4.6157
$9,231.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 29A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Пакет устройств поставщика | TOLL |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
