Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TP65H050WS |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Transphorm |
| Описание ： | GANFET N-CH 650 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13317 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$17.8467
$17.8467
30
$14.4430
$433.2900
120
$13.5946
$1,631.3520
510
$12.3220
$6,284.2200
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Transphorm |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 34A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 119W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 12V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
