Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>TC58CVG0S3HRAIJ
  • image of Память>TC58CVG0S3HRAIJ
Тип  TC58CVG0S3HRAIJ
Классификация Память
Производитель Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание  IC FLASH 1GBIT
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
image of Память>11609599
11609599
Тип 
11609599
Классификация
Память
Производитель
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание 
IC FLASH 1GBIT
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти1Gbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NAND (SLC)
Тактовая частота133 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (6x8)
Интерфейс памятиSPI
Время доступа180 µs
Организация памяти128M x 8
Программируемый DigiKeyNot Verified
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0