Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| Классификация： | Память |
| Производитель： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Описание ： | IC FLASH 4GBIT |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13297 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$5.1813
$5.1813
10
$4.7066
$47.0660
25
$4.6056
$115.1400
40
$4.5753
$183.0120
80
$4.1006
$328.0480
338
$4.0905
$1,382.5890
676
$3.9390
$2,662.7640
1014
$3.7471
$3,799.5594
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Ряд | Benand™ |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 67-VFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Объем памяти | 4Gbit |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | FLASH - NAND (SLC) |
| Формат памяти | FLASH |
| Пакет устройств поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Время цикла записи — Word, Page | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Время доступа | 25 ns |
| Организация памяти | 512M x 8 |
| Программируемый DigiKey | Not Verified |
