Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TC58BYG0S3HBAI6 |
|---|---|
| Классификация： | Память |
| Производитель： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Описание ： | IC FLASH 1GBIT |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13027 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$3.1310
$3.1310
10
$2.8179
$28.1790
25
$2.7674
$69.1850
40
$2.7674
$110.6960
80
$2.4745
$197.9600
338
$2.3937
$809.0706
676
$2.3836
$1,611.3136
1014
$2.2220
$2,253.1080
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Ряд | Benand™ |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 67-VFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Объем памяти | 1Gbit |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | FLASH - NAND (SLC) |
| Формат памяти | FLASH |
| Пакет устройств поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Время цикла записи — Word, Page | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Время доступа | 25 ns |
| Организация памяти | 128M x 8 |
| Программируемый DigiKey | Not Verified |
