Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>TC58BVG2S0HBAI6
  • image of Память>TC58BVG2S0HBAI6
Тип  TC58BVG2S0HBAI6
Классификация Память
Производитель Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание  4GB SLC BENAND
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13338
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $4.4743
Параметры продукции : 13338
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$6.4034

$6.4034

10

$5.7570

$57.5700

25

$5.4439

$136.0975

80

$4.7167

$377.3360

338

$4.4743

$1,512.3134

676

$4.0097

$2,710.5572

1014

$3.3835

$3,430.8690

2704

$3.2118

$8,684.7072

image of Память>21187141
21187141
Тип 
21187141
Классификация
Память
Производитель
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание 
4GB SLC BENAND
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6838
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс67-VFBGA
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти4Gbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NAND (SLC)
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика67-VFBGA (6.5x8)
Время цикла записи — Word, Page25ns
Интерфейс памятиParallel
Время доступа20 ns
Организация памяти512M x 8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0