Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SSM6P816R,LF |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | MOSFET 2P-CH 20 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17149 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4848
$0.4848
10
$0.4141
$4.1410
100
$0.2929
$29.2900
500
$0.2222
$111.1000
1000
$0.1818
$181.8000
3000
$0.1616
$484.8000
6000
$0.1515
$909.0000
9000
$0.1414
$1,272.6000
30000
$0.1414
$4,242.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-SMD, Flat Leads |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1.4W (Ta) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1030pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 30.1mOhm @ 4A, 4.5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP-F |
