Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SSM6N48FU,LF |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | MOSFET 2N-CH 30 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 15750 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4343
$0.4343
10
$0.3030
$3.0300
100
$0.1515
$15.1500
500
$0.1313
$65.6500
1000
$0.0909
$90.9000
3000
$0.0808
$242.4000
6000
$0.0707
$424.2000
9000
$0.0606
$545.4000
30000
$0.0606
$1,818.0000
75000
$0.0505
$3,787.5000
150000
$0.0505
$7,575.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIII |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 300mW |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100mA (Ta) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 15.1pF @ 3V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
