Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SSM6N24TU,LF |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | MOSFET 2N-CH 30 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 15565 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4343
$0.4343
10
$0.3434
$3.4340
100
$0.2020
$20.2000
500
$0.1919
$95.9500
1000
$0.1313
$131.3000
3000
$0.1212
$363.6000
6000
$0.1111
$666.6000
9000
$0.1010
$909.0000
30000
$0.1010
$3,030.0000
75000
$0.0909
$6,817.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIII |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-SMD, Flat Leads |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 500mW (Ta) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 500mA (Ta) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 245pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | UF6 |
