Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SSM6K818R,LF |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | N-CH MOSFET 30V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 18610 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.6767
$0.6767
10
$0.5858
$5.8580
100
$0.4040
$40.4000
500
$0.3434
$171.7000
1000
$0.2929
$292.9000
3000
$0.2525
$757.5000
6000
$0.2424
$1,454.4000
9000
$0.2323
$2,090.7000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-SMD, Flat Leads |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 15A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 4A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP-F |
| Оценка | Automotive |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1130 pF @ 15 V |
| Квалификация | AEC-Q101 |
