Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM14N956L,EFF
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM14N956L,EFF
Тип  SSM14N956L,EFF
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание  MOSFET 2N-CH 12
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  22855
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $1.3433
Параметры продукции : 22855
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.3433

$1.3433

10

$1.1009

$11.0090

100

$0.8585

$85.8500

500

$0.7272

$363.6000

1000

$0.5959

$595.9000

2000

$0.5555

$1,111.0000

5000

$0.5353

$2,676.5000

10000

$0.5050

$5,050.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>19235982
19235982
Тип 
19235982
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание 
MOSFET 2N-CH 12
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
16355
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс14-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.33W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)12V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs76nC @ 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.4V @ 1.57mA
Пакет устройств поставщикаTCSPED-302701
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0