Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQJB46ELP-T1_GE3
Тип  SQJB46ELP-T1_GE3
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Vishay / Siliconix
Описание  MOSFET 2N-CH 40
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13730
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $1.1817
Параметры продукции : 13730
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.1817

$1.1817

10

$0.9696

$9.6960

100

$0.7474

$74.7400

500

$0.6363

$318.1500

1000

$0.5151

$515.1000

3000

$0.4848

$1,454.4000

6000

$0.4646

$2,787.6000

9000

$0.4444

$3,999.6000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>13175723
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>13175723
13175723
Тип 
13175723
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Vishay / Siliconix
Описание 
MOSFET 2N-CH 40
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7230
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8 Dual
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.34W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)40V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2100pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8mOhm @ 8A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8 Dual
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0