Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQ4937EY-T1_BE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQ4937EY-T1_BE3
Тип  SQ4937EY-T1_BE3
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Vishay / Siliconix
Описание  MOSFET 2P-CH 30
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  14000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.4949
Параметры продукции : 14000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.2019

$1.2019

10

$0.9797

$9.7970

100

$0.7676

$76.7600

500

$0.6464

$323.2000

1000

$0.5252

$525.2000

2500

$0.4949

$1,237.2500

5000

$0.4747

$2,373.5000

12500

$0.4545

$5,681.2500

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>12396508
12396508
Тип 
12396508
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Vishay / Siliconix
Описание 
MOSFET 2P-CH 30
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.3.3W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds480pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.9A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOIC
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0