Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQ1563AEH-T1_GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SQ1563AEH-T1_GE3
Тип  SQ1563AEH-T1_GE3
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Vishay / Siliconix
Описание  MOSFET N/P-CH 2
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  16506
Состояние RoHS
Параметры продукции 
Цены : $0.5151
Параметры продукции : 16506
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.5151

$0.5151

10

$0.4343

$4.3430

25

$0.4141

$10.3525

100

$0.3232

$32.3200

250

$0.3030

$75.7500

500

$0.2525

$126.2500

1000

$0.2020

$202.0000

3000

$0.1818

$545.4000

6000

$0.1717

$1,030.2000

15000

$0.1616

$2,424.0000

30000

$0.1515

$4,545.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>7566737
7566737
Тип 
7566737
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Vishay / Siliconix
Описание 
MOSFET N/P-CH 2
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
10006
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SC-70-6 Dual
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.5W
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C850mA (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SC-70-6 Dual
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0