Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SP8M7FU6TB |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | ROHM Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET N/P-CH 3 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 5A, 7A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
