Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | SIZF300DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Vishay / Siliconix |
| Описание ： | MOSFET 2N-CH 30 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 15826 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$1.2322
$1.2322
10
$1.0100
$10.1000
100
$0.7777
$77.7700
500
$0.6666
$333.3000
1000
$0.5353
$535.3000
6000
$0.4848
$2,908.8000
9000
$0.4646
$4,181.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PowerPair® (6x5) |
