Тип : | SIR184LDP-T1-RE3 |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
Описание : | N-CHANNEL 60 V |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 18583 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$1.4847
$1.4847
10
$1.2221
$12.2210
100
$0.9494
$94.9400
500
$0.8080
$404.0000
1000
$0.6565
$656.5000
3000
$0.6161
$1,848.3000
6000
$0.5858
$3,514.8000
9000
$0.5555
$4,999.5000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 21.5A (Ta), 73A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 10A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1950 pF @ 30 V |