Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHP155N60EF-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHP155N60EF-GE3
Тип  SIHP155N60EF-GE3
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Vishay / Siliconix
Описание  EF SERIES POWER
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  15000
Состояние RoHS
Параметры продукции 
Цены : $3.6663
Параметры продукции : 15000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$3.6663

$3.6663

10

$3.0805

$30.8050

100

$2.4846

$248.4600

500

$2.2119

$1,105.9500

1000

$1.8887

$1,888.7000

2000

$1.7877

$3,575.4000

5000

$1.7069

$8,534.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>18069894
18069894
Тип 
18069894
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Vishay / Siliconix
Описание 
EF SERIES POWER
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
8500
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядEF
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C21A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs155mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)179W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220AB
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs38 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1465 pF @ 100 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0