Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>PSMN1R9-40YSBX
Тип  PSMN1R9-40YSBX
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Nexperia
Описание  PSMN1R9-40YSB/S
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.6363
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.4544

$1.4544

10

$1.1918

$11.9180

100

$0.9191

$91.9100

500

$0.7777

$388.8500

1500

$0.6363

$954.4500

3000

$0.5959

$1,787.7000

7500

$0.5757

$4,317.7500

10500

$0.5454

$5,726.7000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>22216640
22216640
Тип 
22216640
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Nexperia
Описание 
PSMN1R9-40YSB/S
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-100, SOT-669
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C200A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 25A, 10V
Особенность полевого транзистораSchottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)194W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.6V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаLFPAK56, Power-SO8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs78 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6297 pF @ 20 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0