Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ5848-AU_R2_000A1
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ5848-AU_R2_000A1
Тип  PJQ5848-AU_R2_000A1
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель PANJIT
Описание  MOSFET 2N-CH 40
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.4646
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

3000

$0.4646

$1,393.8000

6000

$0.4444

$2,666.4000

9000

$0.4242

$3,817.8000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>15797745
15797745
Тип 
15797745
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
PANJIT
Описание 
MOSFET 2N-CH 40
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительPANJIT
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W (Ta), 23.8W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)40V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8.6A (Ta), 30A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1040pF @ 20V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs12mOhm @ 12A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаDFN5060B-8
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0