Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
Тип  PJQ2800_R1_00001
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель PANJIT
Описание  MOSFET 2N-CH 20
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  16000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.5858
Параметры продукции : 16000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.5858

$0.5858

10

$0.5050

$5.0500

100

$0.3535

$35.3500

500

$0.2727

$136.3500

1000

$0.2222

$222.2000

3000

$0.2020

$606.0000

6000

$0.1919

$1,151.4000

9000

$0.1717

$1,545.3000

30000

$0.1717

$5,151.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>15801703
15801703
Тип 
15801703
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
PANJIT
Описание 
MOSFET 2N-CH 20
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
9500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительPANJIT
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-VDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.45W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5.2A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds515pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id900mV @ 250µA
Пакет устройств поставщикаDFN2020-6L
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0