Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PBRP113ZT-QR
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PBRP113ZT-QR
Тип  PBRP113ZT-QR
Классификация Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель Nexperia
Описание  TRANS PREBIAS P
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.0606
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

3000

$0.0606

$181.8000

6000

$0.0606

$363.6000

9000

$0.0505

$454.5000

30000

$0.0505

$1,515.0000

75000

$0.0404

$3,030.0000

150000

$0.0404

$6,060.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>17295658
17295658
Тип 
17295658
Классификация
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель
Nexperia
Описание 
TRANS PREBIAS P
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic750mV @ 6mA, 600mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce230 @ 300mA, 5V
Пакет устройств поставщикаTO-236AB
ОценкаAutomotive
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)600 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)40 V
Мощность - Макс.250 mW
Резистор — база (R1)1 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0