Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | NXV08A170DB2 |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Описание ： | APM12-CBA, MV7 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$19.2809
$19.2809
10
$17.7154
$177.1540
25
$16.9882
$424.7050
80
$14.2309
$1,138.4720
288
$13.3118
$3,833.7984
576
$12.3927
$7,138.1952
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 200A (Tj) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 14000pF @ 40V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | APM12-CBA |
| Оценка | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q100 |
