Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of БТИЗ-модули>NXH80T120L3Q0P3G
  • image of БТИЗ-модули>NXH80T120L3Q0P3G
Тип  NXH80T120L3Q0P3G
Классификация БТИЗ-модули
Производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание  PIM GENERATION3
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $65.9328
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$65.9328

$65.9328

24

$59.9435

$1,438.6440

96

$53.9441

$5,178.6336

image of БТИЗ-модули>22161874
22161874
Тип 
22161874
Классификация
БТИЗ-модули
Производитель
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание 
PIM GENERATION3
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияThree Level Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 80A
НТЦ-термисторYes
Пакет устройств поставщика20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Тип БТИЗTrench Field Stop
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)75 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)1200 V
Мощность - Макс.188 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)300 µA
Входная емкость (Cies) при Vce18150 pF @ 20 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0