Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of БТИЗ-модули>NXH100T120L3Q0S1NG
  • image of БТИЗ-модули>NXH100T120L3Q0S1NG
Тип  NXH100T120L3Q0S1NG
Классификация БТИЗ-модули
Производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание  1200V GEN III Q
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13024
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $61.1757
Параметры продукции : 13024
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$61.1757

$61.1757

24

$55.6207

$1,334.8968

48

$53.7623

$2,580.5904

96

$50.0556

$4,805.3376

image of БТИЗ-модули>21575831
21575831
Тип 
21575831
Классификация
БТИЗ-модули
Производитель
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание 
1200V GEN III Q
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6524
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияThree Level Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 75A
НТЦ-термисторYes
Пакет устройств поставщика18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)54 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)650 V
Мощность - Макс.122 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)200 µA
Входная емкость (Cies) при Vce4877 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0