Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MRF6S20010NR1
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MRF6S20010NR1
Тип  MRF6S20010NR1
Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель NXP Semiconductors
Описание  RF MOSFET LDMOS
Упаковка -
Упаковка Масса
Количество  13500
Состояние RoHS
Параметры продукции 
Цены : $37.4508
Параметры продукции : 13500
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

9

$37.4508

$337.0572

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>18449499
18449499
Тип 
18449499
Классификация
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Описание 
RF MOSFET LDMOS
Упаковка
-
Упаковка
Масса
Количество 
7000
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-270-2
Текущий рейтинг (А)10µA
Тип монтажаSurface Mount
Частота1.6GHz ~ 2.2GHz
КонфигурацияN-Channel
Выходная мощность10W
Прирост15.5dB
ТехнологииLDMOS
Пакет устройств поставщикаTO-270-2
Напряжение - номинальное68 V
Напряжение - Тест28 V
Текущий — Тест130 mA
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0